Test Waferテストウェハー販売

材料や装置評価に用いるパターン付き、膜付きのウェハーから、ウィルス,たんぱく質等の測定にご使用可能な ナノポアチップ(Pore Size50nm~10μm)まで御提供致しております。
各種ウェハーサイズ、ナノポアサイズの対応が可能です。新規テストウェハーの開発(新材料・新構造)も承ります。シリコン基板以外のウェハーにも対応が可能ですので、お気軽にご相談くださいませ。

Nano Poreパターンウェハの例

Pore Size:50nm

Pore Size:200nm

Pore Size:10μm

φ300mm パターンウェハーの例

testwefas-01

L/S=260/40nm, SiO Etch
Pitch=300nm(6.5:1)
AR=approx.4.5(Depth=190nm)
X-SEM

L/S=100/100nm, Si Etch
Pitch=200nm(1:1)
AR=approx.23(Depth=2300nm)
X-SEM

testwefas-01

TOP CD(Cu)=approx.80nm,
Low-k Etch
Pitch=160nm(1:1)
Depth=180nm
X-SEM

Si L/S Etch
Si Substrate Etching
(Top)L/S=150nm/150nm, Pitch=300nm
AR=approx.18(Depth=2770nm)
X-SEM​​​​​

Si Hole Etch
(Top)Hole=φ1000nm​​
Depth=10000nm​​​​
X-SEM

testwefas-01

​SiO2 L/S Etch
SiO film etching
(Top)L/S=180nm/120nm, Pitch=300nm
​Depth=2700nm
X-SEM​​​​​

φ300mm ブランケットウェハーの例

Classification Materials Method Tickness (nm)
Diffusion SiO Thermal Oxide 1〜500
CVD SiO LP-TEOS 10〜300
P-TEOS 30〜2000
P-SiO2 20〜500
HDP 30〜1,000
SiN LP-Si3N4 10〜100
P-Si3N4 20〜1000
Si Poly-Si 20〜500
amorphous-Si 20〜500
Doped-Si 20〜500
SiOC P-SiOC 30〜400
SiCN P-SiCN 10〜200
AlO ALD-Al2O3 2〜10
HfO ALD-HfO2 2〜10
W CVD-W 50〜600
TiN CVD-TiN 5〜30
Ti CVD-Ti 2〜20
Sputter TiN PVD-TiN 5〜30
Ti PVD-Ti 2〜20
Al(Cu) PVD-Al(Cu) 100〜1000
TaN PVD-TaN 5〜50
Ta PVD-Ta 8〜80
Cu PVD-Cu 15〜200
Plating Cu Cu Plating 300〜5000
Coating Resist for ArF Contact Us
for KrF Contact Us
for i-Line Contact Us
BARC for KrF Contact Us
SOC for Imm-ArF Contact Us
SOG for Imm-ArF Contact Us
その他の膜種や膜厚につきましては、お問い合わせくださいませ。

φ200mm – パターンウェハーの例

  • Alパターン Via径φ800nm
  • Alパターン 線幅0.35um

φ200mm – ブランケットウェハーの例

  • Si上 SiGeエピ Ge濃度最大20%

φ150mm – パターンウェハーの例

  • Alパターン 0.5um線幅