テストウェハー販売

Test Waferテストウェハー販売

材料や装置評価に用いるパターン付き、膜付きのウェハーから、ウィルス,たんぱく質等の測定にご使用可能なナノポアチップ（Pore Size50nm~10μm）まで御提供致しております。
各種ウェハーサイズ、ナノポアサイズの対応が可能です。新規テストウェハーの開発（新材料・新構造）も承ります。シリコン基板以外のウェハーにも対応が可能ですので、お気軽にご相談くださいませ。

Nano Poreパターンウェハの例

Pore Size:50nm

Pore Size:200nm

Pore Size:10μm

φ300mm パターンウェハーの例

L/S=260/40nm, SiO Etch
Pitch=300nm(6.5:1)
AR=approx.4.5(Depth=190nm)
X-SEM

L/S=100/100nm, Si Etch
Pitch=200nm(1:1)
AR=approx.23(Depth=2300nm)
X-SEM

TOP CD(Cu)=approx.80nm,
Low-k Etch
Pitch=160nm(1:1)
Depth=180nm
X-SEM

Si L/S Etch
Si Substrate Etching
(Top)L/S=150nm/150nm, Pitch=300nm
AR=approx.18(Depth=2770nm)
X-SEM

Si Hole Etch
(Top)Hole=φ1000nm
Depth=10000nm
X-SEM

SiO2 L/S Etch
SiO film etching
(Top)L/S=180nm/120nm, Pitch=300nm
Depth=2700nm
X-SEM

φ300mm ブランケットウェハーの例

Classification	Materials	Method	Tickness (nm)
Diffusion	SiO	Thermal Oxide	1〜500
CVD	SiO	LP-TEOS	10〜300
		P-TEOS	30〜2000
		P-SiO2	20〜500
		HDP	30〜1,000
	SiN	LP-Si3N4	10〜100
	SiN	P-Si3N4	20〜1000
	Si	Poly-Si	20〜500
		amorphous-Si	20〜500
		Doped-Si	20〜500
	SiOC	P-SiOC	30〜400
	SiCN	P-SiCN	10〜200
	AlO	ALD-Al2O3	2〜10
	HfO	ALD-HfO2	2〜10
	W	CVD-W	50〜600
	TiN	CVD-TiN	5〜30
	Ti	CVD-Ti	2〜20
Sputter	TiN	PVD-TiN	5〜30
	Ti	PVD-Ti	2〜20
	Al(Cu)	PVD-Al(Cu)	100〜1000
	TaN	PVD-TaN	5〜50
	Ta	PVD-Ta	8〜80
	Cu	PVD-Cu	15〜200
Plating	Cu	Cu Plating	300〜5000
Coating	Resist	for ArF	Contact Us
		for KrF	Contact Us
		for i-Line	Contact Us
	BARC	for KrF	Contact Us
	SOC	for Imm-ArF	Contact Us
	SOG	for Imm-ArF	Contact Us

その他の膜種や膜厚につきましては、お問い合わせくださいませ。

φ200mm – パターンウェハーの例

Alパターン　Via径φ800nm
Alパターン　線幅0.35um

φ200mm – ブランケットウェハーの例

Si上　SiGeエピ　Ge濃度最大20%

φ150mm – パターンウェハーの例

Alパターン　0.5um線幅

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