Test Waferテストウェハー販売
材料や装置評価に用いるパターン付き、膜付きのウェハーから、ウィルス,たんぱく質等の測定にご使用可能な
ナノポアチップ(Pore Size50nm~10μm)まで御提供致しております。
各種ウェハーサイズ、ナノポアサイズの対応が可能です。新規テストウェハーの開発(新材料・新構造)も承ります。シリコン基板以外のウェハーにも対応が可能ですので、お気軽にご相談くださいませ。
Nano Poreパターンウェハの例

Pore Size:50nm

Pore Size:200nm

Pore Size:10μm
φ300mm パターンウェハーの例

L/S=260/40nm, SiO Etch
Pitch=300nm(6.5:1)
AR=approx.4.5(Depth=190nm)
X-SEM

L/S=100/100nm, Si Etch
Pitch=200nm(1:1)
AR=approx.23(Depth=2300nm)
X-SEM

TOP CD(Cu)=approx.80nm,
Low-k Etch
Pitch=160nm(1:1)
Depth=180nm
X-SEM

Si L/S Etch
Si Substrate Etching
(Top)L/S=150nm/150nm, Pitch=300nm
AR=approx.18(Depth=2770nm)
X-SEM

Si Hole Etch
(Top)Hole=φ1000nm
Depth=10000nm
X-SEM

SiO2 L/S Etch
SiO film etching
(Top)L/S=180nm/120nm, Pitch=300nm
Depth=2700nm
X-SEM
φ300mm ブランケットウェハーの例
Classification | Materials | Method | Tickness (nm) |
---|---|---|---|
Diffusion | SiO | Thermal Oxide | 1〜500 |
CVD | SiO | LP-TEOS | 10〜300 |
P-TEOS | 30〜2000 | ||
P-SiO2 | 20〜500 | ||
HDP | 30〜1,000 | ||
SiN | LP-Si3N4 | 10〜100 | |
P-Si3N4 | 20〜1000 | ||
Si | Poly-Si | 20〜500 | |
amorphous-Si | 20〜500 | ||
Doped-Si | 20〜500 | ||
SiOC | P-SiOC | 30〜400 | |
SiCN | P-SiCN | 10〜200 | |
AlO | ALD-Al2O3 | 2〜10 | |
HfO | ALD-HfO2 | 2〜10 | |
W | CVD-W | 50〜600 | |
TiN | CVD-TiN | 5〜30 | |
Ti | CVD-Ti | 2〜20 | |
Sputter | TiN | PVD-TiN | 5〜30 |
Ti | PVD-Ti | 2〜20 | |
Al(Cu) | PVD-Al(Cu) | 100〜1000 | |
TaN | PVD-TaN | 5〜50 | |
Ta | PVD-Ta | 8〜80 | |
Cu | PVD-Cu | 15〜200 | |
Plating | Cu | Cu Plating | 300〜5000 |
Coating | Resist | for ArF | Contact Us |
for KrF | Contact Us | ||
for i-Line | Contact Us | ||
BARC | for KrF | Contact Us | |
SOC | for Imm-ArF | Contact Us | |
SOG | for Imm-ArF | Contact Us |
φ200mm – パターンウェハーの例
- Alパターン Via径φ800nm
- Alパターン 線幅0.35um
φ200mm – ブランケットウェハーの例
- Si上 SiGeエピ Ge濃度最大20%
φ150mm – パターンウェハーの例
- Alパターン 0.5um線幅