主要設備は以下の通りです。
こちら以外にも、アクセス可能な装置がございます。 どうぞお気軽に、お問い合わせください。
300mmウェハ用主要装備
- 65nm CMOS ベースライン
- Poly Si/SiONゲートスタック
- 3層 Cu & Low-K
- 液浸露光装置
- ELK
- High-K，メタルゲート
300mmウェハ用装備
*詳細情報ご請求、ご質問、お見積もり等は、こちらをクリックされ、「お問合わせ」 よりお願いします。
露光装置
| 装置 |
| ArF 液浸スキャナー |
| ArF 液浸塗布現像 |
| KrFスキャナー |
エッチング
| 装置 |
| 酸化膜エッチャ（拡散） |
| ポリエッチャ |
| 酸化膜エッチャ（メタル） |
| メタルエッチャ |
| 酸化膜エッチャ（Cu） |
| Low-kエッチャ |
| 酸化膜アッシャ |
| メタルアッシャ |
| Low-kアッシャ |
CVD
| 装置 |
| 低圧SiN |
| HDP-SiO |
| Poly-Si, a-Poly |
| LP-TEOS |
| P-TEOS |
| P-SiC P-SiN P-SiO P-SiOC |
| Low-k |
拡散＆インプラ
| 装置 |
| 酸化 |
| アニール |
| RTO/RTP |
| インプラ |
| インプラ(高電流) |
メタル
| 装置 |
| CVD |
| スパッタ |
| シードスパッタ |
| めっき |
CMP
| 装置 |
| CMP-Ox |
| CMP-W |
| CMP-Cu |
洗浄
| 装置 |
| ゲート用ウェットレジスト除去 |
| 酸化膜ウェットエッチ |
| 窒化膜ウェットエッチ |